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    SiC单晶生长炉

    发布时间: 2018/09/06 13:05,类别: 产品服务

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    自主研发设计的SiC单晶生长设备,可用于4到6寸导电及半绝缘型碳化硅单晶的生长制备。采用单室立式双层水冷不锈钢结构,由炉膛、真空获得及测量系统、坩埚杆拉送系统、感应加热系统、电控系统、中频电源等组成??筛菘突Ф缘ゾど璞柑厥庖蠼胁范ㄖ?,并提供基础碳化硅单晶生长技术支持。

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